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RM6500 副邊反饋SSR+QR隔離開關(guān)電源芯片 AC-DC電源管理芯片

離線式開關(guān)電源管理芯片,內(nèi)置電流模式PWM+PFM控制器,支持谷底檢測開通功能,滿足六級能效標(biāo)準(zhǔn)
  • RM6500S
  • RM6500SA
  • 品 牌:亞成微/REACTOR
  • 參考價:8.8    庫 存:99999++
  • 數(shù) 量:
  • 產(chǎn)品描述:

    RM6500是一種離線式開關(guān)電源管理芯片,內(nèi)置電流模式PWM+PFM控制器,支持谷底檢測開通功能,滿足六級能效標(biāo)準(zhǔn)。

    RM6500采用低電流啟動模式及低工作電流,減少待機(jī)損耗。芯片內(nèi)置多種工作模式,在空載情況下,芯片進(jìn)入Burst mode模式,消除變壓器的音頻噪音,提高轉(zhuǎn)換效率;在輕載情況下,電路進(jìn)入QR模式,有效提高電路的轉(zhuǎn)換效率;在低壓重載情況下,電路進(jìn)入固定頻率CCM模式。內(nèi)部集成斜坡補(bǔ)償模塊,有利于CCM模式下系統(tǒng)閉環(huán)反饋回路的穩(wěn)定性,減小了輸出紋波電壓。

    芯片外置OVP保護(hù)功能,可以通過VSET管腳的上偏電阻調(diào)節(jié)芯片的OVP保護(hù)上限,以滿足不同條件的用戶需求。芯片內(nèi)部集成多種異常狀態(tài)保護(hù)功能,包括VDD欠壓保護(hù)及過壓保護(hù),過載保護(hù),CS過流和懸空保護(hù),過溫保護(hù)功能。在電路發(fā)生異常時,芯片進(jìn)入保護(hù)狀態(tài)并自動重啟檢測,直至異常解除為止,輸出正常。

    Burst mode 模式去除音頻噪音并提高輕載效率

    低啟動電流和工作電流 滿足六級能效標(biāo)準(zhǔn) 

    滿載65KHz固定頻率 QR/谷底開通模式

    輕載/空載Burst mode 軟啟動功能

    具備抖頻模式降低EMI 電流模式控制

    內(nèi)置CS管腳短路保護(hù)功能 內(nèi)置斜坡補(bǔ)償功能 內(nèi)置前沿消隱

    VDD過壓保護(hù)和欠壓保護(hù) 過載保護(hù)和過溫保護(hù) 外置輸出OVP 逐周期限流功能

    輸出二極管短路保護(hù)功能

    應(yīng)用領(lǐng)域   電源適配器 開放式電源 TV/機(jī)頂盒電源

    image.png



    副邊反饋(SSR)+QR

    產(chǎn)品型號功能特點典型功率功率器件最大頻率封裝形式
    RM6514SCCM/QR、六級能效標(biāo)準(zhǔn)18W/24W內(nèi)置MOS65kHzSOP-7
    RM6515DCCM/QR、六級能效標(biāo)準(zhǔn)18W/24W內(nèi)置MOS65kHzDIP-7
    RM6517DCCM/QR、六級能效標(biāo)準(zhǔn)30W/36W內(nèi)置MOS65kHzDIP-7
    RM6510TCCM/QR、六級能效標(biāo)準(zhǔn)100W/100W外置MOS65kHzSOT23-6
    RM6500SACCM/QR、六級能效標(biāo)準(zhǔn)100W/100W外置MOS65kHzSOP-8
    RM6522SA內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC15W/18W內(nèi)置MOS100kHzSOP-7
    RM6500SCCM/QR、六級能效標(biāo)準(zhǔn)100W/100W外置MOS65kHzSOP-8
    RM6526D內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC25W/30W內(nèi)置MOS100kHzDIP-7
    RM6524D內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC20W/25W內(nèi)置MOS100kHzDIP-7
    RM6523D內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC18W/20W內(nèi)置MOS100kHzDIP-7
    RM6522D內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC12W/15W內(nèi)置MOS100kHzDIP-7
    RM6524SAL內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC20W/25W內(nèi)置MOS65kHzSOP-7
    RM6524SA內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC20W/25W內(nèi)置MOS100kHzSOP-7
    RM6523SAL內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC20W/25W內(nèi)置MOS65kHzSOP-7
    RM6523SAH內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC20W/25W內(nèi)置MOS100kHzSOP-7
    RM6523SA內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC20W/25W內(nèi)置MOS100kHzSOP-7
    RM6528NS內(nèi)置?壓GaNFET QR/?底開通模式20W/25W內(nèi)置GaN100kHzESOP-8
    RM6524NDH內(nèi)置?壓GaNFET QR/?底開通模式45W/50W內(nèi)置GaN100kHzDFN8*8
    RM6524ND內(nèi)置?壓GaNFET QR/?底開通模式35W/45W內(nèi)置GaN100kHzDFN5*6
    RM6522ND內(nèi)置?壓GaNFET QR/?底開通模式60W/65W內(nèi)置GaN100kHzDFN8*8
    RM6520SDQ?壓啟動 ?壓VCC QR/?底開通模式120W/120W外置MOS100kHzSOP-8
    RM6520NDQ?壓啟動 ?壓VCC QR/?底開通模式120W/120W外置GaN100kHzSOP-8
    RM6520SL?壓VCC , QR/?底開通模式,六級能效標(biāo)準(zhǔn)120W/120W外置MOS65kHzSOP-8
    RM6520TN?壓VCC , QR/?底開通模式,六級能效標(biāo)準(zhǔn)120W/120W外置GaN100kHzSOT23-6
    RM6604NDQ高壓啟動,QR,內(nèi)置高壓GaNFET,集成GaN驅(qū)動器,六級能效標(biāo)準(zhǔn)36W/40W內(nèi)置GaN130kHzDFN5*6
    RM6602NDQ高壓啟動,QR,內(nèi)置高壓GaNFET,集成GaN驅(qū)動器,六級能效標(biāo)準(zhǔn)65W/70W內(nèi)置GaN130kHzDFN8*8
    RM6601NDQ高壓啟動,QR,集成GaN驅(qū)動器,六級能效標(biāo)準(zhǔn)100W/100W外置GaN130kHzSOP-8
    RM6520TL?壓VCC , QR/?底開通模式,六級能效標(biāo)準(zhǔn)120W/120W外置MOS65kHzSOT23-6
    RM6520T?壓VCC , QR/?底開通模式,六級能效標(biāo)準(zhǔn)120W/120W外置MOS100kHzSOT23-6
    RM6520S?壓VCC , QR/?底開通模式,六級能效標(biāo)準(zhǔn)120W/120W外置MOS100KHZSOP-8


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