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RM6312 副邊反饋SSR隔離開關電源芯片 AC-DC電源芯片

  • 低啟動電流,低工作電流,外置高壓功率MOSFET,用于功率在65W 以內(nèi)的方案。
  • RM6312S
  • RM6312DA
  • 品 牌: 亞成微/REACTOR
  • 可替代:..
  • 庫 存:99999++
  • 參考價:8
  • 數(shù) 量:
  • 產(chǎn)品描述:

    RM6312DA是一顆電流模式PWM控制芯片,內(nèi)置高壓功率MOSFET,用于功率在15W 以內(nèi)的方案。

    RM6312DA內(nèi)置多種保護,包括逐周期限流保護(OCP),過載保護(OLP),過壓保護(OVP),VDD過壓箝位,欠壓保護(UVLO)等,采用抖頻技術更好的改善系統(tǒng)的EMI特性和開關的軟啟動控制。系統(tǒng)的跳頻頻率設置在音頻(20KHz)以上,工作時可以避免系統(tǒng) 產(chǎn)生噪音。

    RM6312DA使用DIP-8無鉛封裝。

    符合6級能效標準,在通用交流輸入時待機功率<75mW

    內(nèi)置650V高壓功率管

    4ms軟啟動用來減少MOSFET上Vds的應力

    抖頻功能,改善EMI性能

    跳頻模式,改善輕載效率,減小待機功耗

    無噪聲工作

    固定65KHz開關頻率

    內(nèi)置同步斜坡補償

    低啟動電流,低工作電流

    內(nèi)置前沿消隱(LEB)功能

    應用領域

    電源適配器 開放式電源 TV/機頂盒電源

    image.png



    副邊反饋

    產(chǎn)品型號功能特點典型功率功率器件最大頻率封裝形式
    RM6312S低啟動電流,低工作電流 4ms軟啟動 六級能效標準7.5W/10W內(nèi)置MOS65kHzSOP-8
    RM6316DA低啟動電流,低工作電流 4ms軟啟動 六級能效標準24W/30W內(nèi)置MOS65kHzDIP-7
    RM6534S滿足六級能效標準 超寬的VCC工作電壓范圍 極低的啟動電流和工作電流20W/25W內(nèi)置MOS65kHzSOP-8
    RM6534SL滿足六級能效標準 超寬的VCC工作電壓范圍 極低的啟動電流和工作電流20W/22W內(nèi)置MOS65kHzSOP-8
    RM6533S滿足六級能效標準 超寬的VCC工作電壓范圍 極低的啟動電流和工作電流18W/20W內(nèi)置MOS65kHzSOP-8
    RM6312DA低啟動電流,低工作電流 4ms軟啟動 六級能效標準12W/15W內(nèi)置MOS65kHzDIP-8
    RM6314DA低啟動電流,低工作電流 4ms軟啟動 六級能效標準18W/24W內(nèi)置MOS65kHzDIP-8
    RM6000T低啟動電流,低工作電流 4ms軟啟動 六級能效標準65W/65W外置MOS65kHzSOT23-6
    RM6523SL?壓VCC 內(nèi)置MOS20W/25W內(nèi)置MOS65kHzSOP-8
    RM6524SL?壓VCC 內(nèi)置MOS20W/25W內(nèi)置MOS65kHzSOP-8


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