產(chǎn)品描述：
RM6523SL是一款內(nèi)置高壓SJMOSFET,高性能高可靠性電流控制型PWM開關(guān)控制芯片，滿足六級能效標(biāo)準(zhǔn)。
RM6523SL采用低電流啟動模式及低工作電流，減少待機損耗。芯片內(nèi)置多種工作模式，在輕載及空載情況下，芯片進入Burst mode 模式，消除變壓器的音頻噪音，提高轉(zhuǎn)換效率。在低壓重載情況下，電路進入固定頻率CCM模式。內(nèi)部集成斜坡補償模塊，有利于CCM模式下系統(tǒng)閉環(huán)反饋回路的穩(wěn)定性，減小了輸出紋波電壓。
芯片內(nèi)部集成多種異常狀態(tài)保護功能，包括VDD欠壓保護及過壓保護，過載保護，CS過流和懸空保護，過溫保護功能。在電路發(fā)生異常時，芯片進入保護狀態(tài)并自動重啟檢測，直至異常解除為止，輸出正常。
寬范圍VDD電壓（9V-60V）
內(nèi)置650V高壓SJ MOSFET 低啟動電流和工作電流
Burst mode模式去除音頻噪音并提高輕 載效率
滿載65KHz固定工作頻率
輕載/空載Burst mode 軟啟動功能
具備抖頻模式降低EMI 電流模式控制
內(nèi)置CS管腳短路保護功能 內(nèi)置斜坡補償功能 內(nèi)置前沿消隱
VDD過壓保護和欠壓保護 過載保護和過溫保護 逐周期限流功能
輸出二極管短路保護功能
應(yīng)用領(lǐng)域
電源適配器 開放式電源 TV/機頂盒電源 AC/DC電源適配器 充電器 輔助電源
副邊反饋
| 產(chǎn)品型號 | 功能特點 | 典型功率 | 功率器件 | 最大頻率 | 封裝形式 |
|---|---|---|---|---|---|
| RM6312S | 低啟動電流，低工作電流 4ms軟啟動 六級能效標(biāo)準(zhǔn) | 7.5W/10W | 內(nèi)置MOS | 65kHz | SOP-8 |
| RM6316DA | 低啟動電流，低工作電流 4ms軟啟動 六級能效標(biāo)準(zhǔn) | 24W/30W | 內(nèi)置MOS | 65kHz | DIP-7 |
| RM6534S | 滿足六級能效標(biāo)準(zhǔn) 超寬的VCC工作電壓范圍 極低的啟動電流和工作電流 | 20W/25W | 內(nèi)置MOS | 65kHz | SOP-8 |
| RM6534SL | 滿足六級能效標(biāo)準(zhǔn) 超寬的VCC工作電壓范圍 極低的啟動電流和工作電流 | 20W/22W | 內(nèi)置MOS | 65kHz | SOP-8 |
| RM6533S | 滿足六級能效標(biāo)準(zhǔn) 超寬的VCC工作電壓范圍 極低的啟動電流和工作電流 | 18W/20W | 內(nèi)置MOS | 65kHz | SOP-8 |
| RM6312DA | 低啟動電流，低工作電流 4ms軟啟動 六級能效標(biāo)準(zhǔn) | 12W/15W | 內(nèi)置MOS | 65kHz | DIP-8 |
| RM6314DA | 低啟動電流，低工作電流 4ms軟啟動 六級能效標(biāo)準(zhǔn) | 18W/24W | 內(nèi)置MOS | 65kHz | DIP-8 |
| RM6000T | 低啟動電流，低工作電流 4ms軟啟動 六級能效標(biāo)準(zhǔn) | 65W/65W | 外置MOS | 65kHz | SOT23-6 |
| RM6523SL | ?壓VCC 內(nèi)置MOS | 20W/25W | 內(nèi)置MOS | 65kHz | SOP-8 |
| RM6524SL | ?壓VCC 內(nèi)置MOS | 20W/25W | 內(nèi)置MOS | 65kHz | SOP-8 |
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